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    这项技术起初是由惠普公司在AlGaInP/GaAsLED上实现的。GaAs衬底使LED内部的光吸收损耗非常大。通过剥离GaAs衬底，然后在透明间隙衬底上进行键合，可以提高近两倍的发光效率。蓝宝石衬底激光剥离（LLO）技术是在Ga同质外延技术基础上发展起来的。2003年2月，OSRAM采用LLO工艺去除蓝宝石，使LED的光输出效率提高到75%，是传统LED的3倍。目前，他们拥有第一条LLO生产线。

   表面粗化技术

    然而，直接粗化易损伤活性层，制备透明电极更为困难。目前，通过改变外延片的生长条件来获得表面粗化是一种可行的工艺。

    制备基于二维光子晶体的微结构

    这也是一种提高光效率的方法。2003年9月，日本松下电器股份有限公司研制了一种直径为1.5μm的光子晶体的LED，0.5μm的凸点可以使光输出提高60%。

    倒装芯片技术（Flip-Chip）

    解决了蓝宝石电极光阻和散热不良的问题，并能从蓝宝石衬底上发出光。根据Lumileds的结果，倒装芯片的光学效率提高了1.6倍。

    芯片表面处理技术

    主要技术使用表面微结构或前光的表面纹理（表面纹理），以提高效率。UVLED表面（图案化）技术，以通过图案增加光功率转换，表面处理后，提高了UVLED的光提取效率。

    全方位反射膜

    发展大功率大尺寸芯片

    在大规模芯片设计中应注意两个问题：一是大驱动电流下光学效应的降低；二是低扩散电阻的p电极的设计，以减小功耗引起的热效应。

    提高侧向出光的利用效率

    需要在发光区底部设计具有特殊几何规格的衬底（前发射光）或外延层材料（后发射光），并在适当的区域涂覆高反射层膜，从而提高器件的横向发光利用率和输出功率。

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